Ученые из Корейского института науки и технологий (Южная Корея) опубликовали статью в журнале Applied Physics Letters, в которой сообщается о создании первой в мире действующей прозрачной микросхемы памяти. По характеристикам микросхема напоминает широко используемую сейчас энергонезависимую память типа КМОП. Технологически же новые чипы во многом повторяют недавно разработанные образцы резистивной памяти с произвольной выборкой. При изготовлении RRAM используются отличающиеся высокой прозрачностью металлооксидные материалы, и корейским ученым оставалось лишь отыскать подходящие прозрачные электроды и подложку и создать на этой основе микросхему. Коэффициент пропускания излучения в видимом диапазоне у готового изделия оказался равен 0,81, сообщает Компьюлента.
По словам ведущего автора работ Джун Вон Сео, разработка представляет собой новый этап в развитии светопроницаемой электроники. Объединив TRRAM с другими прозрачными компонентами, можно создать завершенное - и просматриваемое насквозь - электронное устройство». По словам ученых, наладить производство микросхем TRRAM не сложно, и до коммерческой реализации новой технологии осталось всего три-четыре года.Для подложки и электродов можно применять любые прозрачные материалы, соответственно цена на такие устройства не должна быть высокой.